[发明专利]等离子体处理装置及其基片直流偏置电压测量方法

摘要

本发明公开了一种等离子体处理装置及其基片直流偏置电压测量方法，通过一脉冲触发开关分离脉冲开-关状态下的直流偏置电压，所述时钟触发开关后端连接一高电平积分电路和一低电平积分电路，所述时钟触发开关以时钟信号的上升沿和下降沿为信号进行切换，分别与后端的高电平积分电路或者低电平积分电路进行连接，实现将直流偏置电压分别在较高值和较低值时积分求平均值得到连续模拟信号，从而实现对基片表面直流偏置电压的监测。通过采用本发明所述的技术方案，可以大大降低采样频率，简化采样电路。

主权项

一种等离子体处理装置，包括一真空反应腔，所述真空反应腔下方设置一支撑基片的静电卡盘，所述静电卡盘下方设置一基座，所述基座同时作为所述真空反应腔的下电极，所述下电极连接射频功率源，所述射频功率源输出脉冲功率，其特征在于：所述基片下方设置一直流偏置电压探测针，所述探测针连接一时钟触发开关，所述时钟触发开关的后端分别连接高电平积分电路和低电平积分电路。