[发明专利]一种具有各向异性的硅量子点薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310696185.X | 申请日： | 2013-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103695855A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 畅庚榕;马飞;徐可为 | 申请（专利权）人： | 西安文理学院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 西安西交通盛知识产权代理有限责任公司 61217 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710065 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有各向异性的硅量子点薄膜的制备方法，公开了一种调整元素成分变化产生不同的应变能诱导各向异性的多形态硅量子点形成，进而调整其吸收光谱范围，并显著提高所用材料光电转换效率的技术方法。主要步骤如下：首先，镀膜前预处理，然后利用Ar离子对不同成分比例的硅锗合金靶和碳靶进行磁控共溅射，调整硅锗和碳靶的溅射功率，在硅和玻璃基体上沉积成分可控的非晶碳化硅锗薄膜；再后，在氮气气氛中分阶段退火处理，形成镶嵌在非晶SiC内部具有各向异性的多形态硅量子点薄膜。此类薄膜拥有多激子效应，同时在1800nm（红外光）至300nm（紫外光）的波长范围内具有多波长光吸收特征，有望大幅提高硅基光伏器件的光吸收和光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 各向异性 量子 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有各向异性特征硅量子点薄膜材料的制备方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：1）镀膜前预处理：选用玻璃和/或者硅片作为基体并进行镀膜前预处理；2）溅射：以Ar气作为溅射气体，在对基体施加偏压的条件下，对硅锗合金靶和碳靶进行磁控共溅射，在硅片和/或玻璃基体上沉积非晶碳化硅锗薄膜；3）分析薄膜成分：镀膜完成后，采用XPS原位分析薄膜成分；4）退火：在氮气气体下，对沉积有非晶碳化硅锗薄膜的基体进行高温分阶段退火处理，形成各向异性特征硅量子点薄膜材料；5）进行微观结构和性能检测。
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