[发明专利]低压降高反压快恢复二极管工艺控制方法有效
| 申请号： | 201310697435.1 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103745926A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 何永成;黄小锋 | 申请（专利权）人： | 常州星海电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/66 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 何学成 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明创造涉及二极管的制造工艺，特别指低压降高反压快恢复二极管工艺控制方法。所述的方法包括：1.在反向击穿电压、反向恢复时间、正向压降三个电性参数中，调整反向击穿电压至1200V以上，并保证正向压降不超过960mV，2.反向击穿电压与正向压降达到要求后，调整反向恢复时间，观察正向压降的变化，挑选正向压降符合要求的二极管，测试对应的反向恢复时间，并作为电性参数调整的目标值，3.电性参数调整过程，根据GPP芯片上反向恢复时间的分布状况，对控制参数进行调整，满足三个电性参数的GPP芯粒比例达到最大值，并将该参数作为批量生产的控制参数。利用该方法能制得正向压降1150mV以下，反向恢复时间125ns以下，反向击穿电压1200V以上的快恢复二极管，提高制造效率。 | ||
| 搜索关键词： | 低压 降高反压快 恢复 二极管 工艺 控制 方法 | ||
【主权项】：
低压降高反压快恢复二极管工艺控制方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）、在二极管的反向击穿电压、反向恢复时间、正向压降三个电性参数中，首先调整反向击穿电压至1200V以上，并保证正向压降不超过960mV；（2）、在基片的反向击穿电压与正向压降都达到要求后，再调整其反向恢复时间，同时观察正向压降的变化趋势,挑选正向压降符合要求的二极管，测试其对应的反向恢复时间，将测试出的反向恢复时间范围作为电性参数调整的目标值；（3）、电性参数调整过程中，根据GPP芯片上反向恢复时间的分布状况，对控制参数进行调整，使GPP芯片的反向恢复时间落在目标值范围之内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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