[发明专利]异质结双极晶体管、使用其的功率放大器及其制造方法有效
| 申请号： | 201310697474.1 | 申请日： | 2013-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103872107B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 大部功;梅本康成;黑川敦 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明能在防止热失控的同时防止高温下功率放大特性的恶化。异质结双极晶体管（100）具有镇流电阻层（7）。镇流电阻层（7）包括AlGaAs发射极镇流电阻层（7a）和AlGaAs发射极镇流电阻层（7b），所述AlGaAs发射极镇流电阻层（7a）在第一温度区域（室温～100℃）以及第二温度区域（100℃以上）具有正电阻率温度系数，所述AlGaAs发射极镇流电阻层（7b）在第一温度区域内具有负电阻率温度系数，在第二温度区域内具有正电阻率温度系数。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 双极晶体管 使用 功率放大器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种异质结双极晶体管，该异质结双极晶体管具备电阻值随温度上升而增加的镇流电阻层，其特征在于，所述镇流电阻层包括：第一镇流电阻层，该第一镇流电阻层在第一温度区域及第二温度区域内具有正电阻率温度系数；以及第二镇流电阻层，该第二镇流电阻层在所述第一温度区域内具有负电阻率温度系数，在所述第二温度区域内具有正电阻率温度系数，所述第二温度区域的温度高于所述第一温度区域的温度。
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