[发明专利]硅通孔形成方法及半导体器件的对准结构

摘要

一种硅通孔形成方法及半导体器件的对准结构，所述半导体器件包括半导体衬底和位于所述半导体衬底上的层间介质层，所述层间介质层具有凹槽，所述半导体器件的对准结构包括：金属层，位于所述凹槽的内表面；隔离层，位于所述凹槽内且位于所述金属层表面，所述隔离层的上表面低于所述层间介质层的上表面。由于所述隔离层的上表面低于所述层间介质层的上表面，因此，所述半导体器件的对准结构能够被快速和准确地检测到。

主权项

1.一种硅通孔形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底功能区上具有晶体管和覆盖所述晶体管的层间介质层；形成位于所述层间介质层的接触孔和凹槽，所述接触孔暴露所述晶体管的栅极、源极或漏极的至少其中之一，所述凹槽位于所述半导体衬底非功能区上；形成金属插塞填充满所述接触孔，并形成金属层覆盖所述凹槽的内表面；形成牺牲层覆盖所述层间介质层并填充满所述凹槽；形成通孔贯穿所述牺牲层和层间介质层，并延伸至所述半导体衬底内；形成绝缘层覆盖所述通孔的内表面和所述牺牲层的上表面；形成导电层填充满所述通孔；去除位于所述牺牲层上的绝缘层和所述牺牲层直至暴露所述凹槽，位于所述凹槽内的所述金属层和所述凹槽形成对准结构。