[发明专利]伪栅的去除方法和MOS晶体管的形成方法在审
| 申请号： | 201310697874.2 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104733303A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;李凤莲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种伪栅的去除方法和MOS晶体管的形成方法，所述伪栅的去除方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅介质层、位于所述栅介质层上的功函数层和位于所述功函数层上的伪栅；采用脉冲等离子体刻蚀工艺刻蚀所述伪栅，直至暴露出所述功函数层；其中，所述脉冲等离子体刻蚀工艺的刻蚀气体包括氢气。本发明伪栅的去除方法，有利于提高后续形成的MOS晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 方法 mos 晶体管 形成 | ||
【主权项】：
一种伪栅的去除方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅介质层、位于所述栅介质层上的功函数层和位于所述功函数层上的伪栅；采用脉冲等离子体刻蚀工艺刻蚀所述伪栅，直至暴露出所述功函数层；其中，所述脉冲等离子体刻蚀工艺的刻蚀气体包括氢气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
