[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；分别进行第一离子掺杂和第二离子掺杂，形成位于所述半导体衬底内的阱区和阈值电压调节区，其中，所述阈值电压调节区位于阱区表面；形成阱区和阈值电压调节区之后，在半导体衬底表面形成半导体外延层；在所述半导体外延层表面形成晶体管，所述晶体管的沟道区由所述半导体外延层形成。所述半导体器件的形成方法形成的晶体管，其作为沟道区的半导体外延层避免了离子掺杂时造成的晶格损伤，并且，用作形成沟道区的半导体外延层内不掺杂或者轻掺杂硼，减小了载流子散射，晶体管的载流子迁移率高，器件性能优越。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体器件的形成方法不使用伪栅，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，第一区域和第二区域之间由浅沟槽隔离结构分隔；形成覆盖第二区域但暴露出第一区域的第一光刻胶层，以第一光刻胶层为掩膜，向所述第一区域的半导体衬底内进行第一离子掺杂和第二离子掺杂，形成位于第一区域的半导体衬底内的阱区和阈值电压调节区，所述阈值电压调节区完整的覆盖第一区域的阱区的表面；形成覆盖第一区域但暴露出第二区域的第二光刻胶层，以第二光刻胶层为掩膜，向所述第二区域的半导体衬底内进行第一离子掺杂和第二离子掺杂，形成位于第二区域的半导体衬底内的阱区和阈值电压调节区，所述阈值电压调节区完整的覆盖第二区域的阱区的表面；形成阱区和阈值电压调节区之后，在半导体衬底表面形成半导体外延层，所述半导体外延层完整的覆盖第一区域的半导体衬底的表面和/或第二区域的半导体衬底的表面；形成位于所述半导体外延层表面的界面层，依据后续形成的栅介质层的厚度来决定所述界面层的厚度值，以使后续形成栅介质层的过程中界面层被消耗，所述界面层是在半导体外延层形成之后通过原位外延的方法形成；在所述半导体外延层表面形成晶体管，所述晶体管的沟道区由所述半导体外延层形成。