[发明专利]一种LED封装结构及其圆片级封装方法

摘要

发明涉及一种LED封装结构及其圆片级封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括硅基本体（110）和LED芯片（200），硅基本体（110）的正面设置不连续的金属反光层（410、420），硅通孔（111）内设置不连续的金属层Ⅰ（810）、金属层Ⅱ（820），电极(210)、金属栅(311)、金属反光层（410）、金属层Ⅰ（810）电气连接，电极(220)、金属栅(312)、金属反光层（420）、金属层Ⅱ（820）实现电气连接；还包括金属层Ⅲ（830），金属层Ⅲ（830）位于硅基本体（110）的背面的绝缘层Ⅱ（520）的表面且位于金属层Ⅰ（810）、金属层Ⅱ（820）之间。本发明封装结构依靠圆片级封装技术获得全角度出光的LED封装结构，且能够降低热阻、提高可靠性、使出光角度不受限、并且能降低设计和制造成本。

主权项

一种圆片级LED封装方法，包括如下工艺步骤：提供一带有绝缘层Ⅰ（510’）的硅圆片，在绝缘层Ⅰ（510’）的表面形成金属反光层（410、420）；在金属反光层（410、420）的表面形成金属栅（311、312），再在金属栅（311、312）的表面电镀金属连接层（321、322）；将带有电极（210、220）的LED芯片（200）倒装固定至金属连接层（321、322）上； 将透光层（700）键合至LED芯片（200）的上方；依次利用光刻、刻蚀工艺，在硅圆片的背面形成硅通孔（111）；在硅圆片的背面沉积绝缘层Ⅱ（520），再在硅通孔（111）内，依次通过光刻、刻蚀的方式形成贯穿绝缘层Ⅰ（510）和绝缘层Ⅱ（520）的绝缘层开口（501、502）；依次通过溅射、光刻、电镀的方式，在绝缘层Ⅱ（520）的表面形成金属层Ⅰ（810）、金属层Ⅱ（820）和金属层Ⅲ（830），其中金属层Ⅰ（810）与金属层Ⅱ（820）分别通过绝缘层开口（501、502）与金属反光层（410、420）连接，金属层Ⅲ（830）设置于金属层Ⅰ（810）、金属层Ⅱ（820）之间；将完成封装的硅圆片切割成单颗独立的封装体。