[发明专利]鳍式场效应管的形成方法在审
| 申请号： | 201310698046.0 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104733310A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 余云初;沈忆华;庄晓辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的基底，所述基底表面形成有多个鳍状结构，其中，第一区域的鳍状结构后续被去除，第二区域的鳍状结构后续用于形成鳍部；形成位于鳍状结构表面的第一掩模层，第一掩模板具有长边方向与鳍状结构的长度方向一致的第一开口，且第一开口暴露出部分位于第一区域内并与第二区域相邻的鳍状结构；沿第一开口去除鳍状结构，直至暴露出基底表面；形成位于鳍状结构表面的第二掩模层，第二掩模层覆盖第二区域的鳍状结构，并暴露出第一区域剩余的鳍状结构；以第二掩模层为掩膜，刻蚀第一区域剩余的鳍状结构，保留第二区域的鳍状结构形成鳍部。形成的鳍部的质量好，鳍式场效应管的性能稳定性高。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供具有第一区域和第二区域的基底，所述基底表面形成有多个鳍状结构，其中，所述第一区域的鳍状结构后续被去除，所述第二区域的鳍状结构后续用于形成鳍部；形成位于所述鳍状结构表面的第一掩模层，所述第一掩模层具有长边方向与鳍状结构的长度方向一致的第一开口，且所述第一开口暴露出部分位于第一区域内并与第二区域相邻的鳍状结构；沿所述第一开口去除所述鳍状结构，直至暴露出基底表面；形成位于所述鳍状结构表面的第二掩模层，所述第二掩模层覆盖第二区域的鳍状结构，并暴露出第一区域剩余的鳍状结构；以所述第二掩模层为掩膜，刻蚀第一区域剩余的鳍状结构，保留第二区域的鳍状结构形成鳍部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
