[发明专利]一种微波等离子体化学气相沉积装置有效
申请号: | 201310698154.8 | 申请日: | 2013-12-18 |
公开(公告)号: | CN103695867A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 王宏兴 | 申请(专利权)人: | 王宏兴 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/511 |
代理公司: | 陕西增瑞律师事务所 61219 | 代理人: | 张瑞琪 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开一种微波等离子体化学气相沉积装置。包括由反应腔上盖和反应台组成的反应腔,反应腔下方设置有相连接的矩形波导和同轴波导;同轴波导的中心轴伸入在反应腔内,中心轴的上方同轴固定连接有用于放置衬底的样品台;反应腔上盖的中心开有气体导入口,反应腔上盖的颈部还设置均匀开有进气小孔的水平隔板,水平隔板和反应腔上盖的上端面之间形成气体缓冲混合腔,反应台上相对于样品台的边缘外侧均匀呈圆周分布开有一圈排气通孔。本发明与现有技术相比,更能实现均匀的、高效率的、高质量的沉积薄膜。 | ||
搜索关键词: | 一种 微波 等离子体 化学 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种微波等离子体化学气相沉积装置,其特征在于,包括由反应腔上盖(4)和反应台(9)组成的反应腔,所述反应腔下方设置有相连接的矩形波导(1)和同轴波导(2);所述同轴波导(2)的中心轴(10)伸入在所述反应腔内,所述中心轴(10)的上方同轴固定连接有用于放置衬底(13)的样品台(11);所述反应腔上盖(4)的中心开有气体导入口(5),所述反应腔上盖(4)的颈部还设置均匀开有进气小孔(7)的水平隔板(6),所述水平隔板(6)和反应腔上盖(4)的上端面之间形成气体缓冲混合腔,所述反应台(9)上相对于样品台(11)的边缘外侧均匀呈圆周分布开有一圈排气通孔(8)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的