[发明专利]半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310698367.0 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104733516A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 洪志临;陈信良;陈永初 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/40;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件是利用设置淡掺杂区(HNMLDD)来增加射极(Emitter)周围的浓度。当此元件在顺向偏压下操作时，在顺向有源区可得到最大共射极电流增益，使得讯号放大，并且同时可过滤不必要的噪声。此外，本发明的半导体元件更包括在射极与基极之间或是/及集极与基极之间设置场板，以改变两极之间结的电平分布，提升结的崩溃电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包括：具有一第一导电型的一衬底；具有该第一导电型的一第一阱区，位于该衬底中；具有一第二导电型的一分隔区，位于该衬底中，其中该第一阱区位于该分隔区中；具有该第一导电型的一第一掺杂区，位于该第一阱区中，且在该第一掺杂区施加一第一电压；具有该第二导电型的一第二掺杂区，位于该第一掺杂区的一第一侧的该第一阱区中，且在该第二掺杂区施加一第二电压；具有该第二导电型的一第三掺杂区，位于该第一掺杂区的一第二侧的该分隔区中，且在该第三掺杂区施加一第三电压；以及至少一场板，位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的该衬底上，或位于该第一掺杂区与该第三掺杂区之间的该衬底上，或位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间以及该第一掺杂区与该第三掺杂区之间的该衬底上。
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