[发明专利]电压基准源电路有效
| 申请号： | 201310698422.6 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103713684A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 陆云;彭荣超;董子刚;张元亭 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | G05F1/613 | 分类号： | G05F1/613 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 沈祖锋;郝明琴 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于MOS器件的电压基准源电路，其包括偏置电流产生电路及启动所述偏置电流产生电路的启动电路，所述电压基准源电路还包括二极管连接形式的负载MOS管。所述负载MOS管和所述偏置电流产生电路相连接，所述偏置电流产生电路产生的偏置电流驱动所述负载MOS管。所述电压基准源电路结构简单、易于实现，能够输出一种低温度系数的基准电压，能够确保电路对工艺、温度的鲁棒性以及增强了电路的可实现性，可满足高精度应用的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 基准 电路 | ||
【主权项】：
一种基于MOS器件的电压基准源电路，其包括偏置电流产生电路及启动所述偏置电流产生电路的启动电路，其特征在于，所述电压基准源电路还包括二极管连接形式的负载MOS管，所述负载MOS管和所述偏置电流产生电路相连接，所述偏置电流产生电路产生的偏置电流驱动所述负载MOS管。
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