[发明专利]一种低介电材料的修复方法在审
| 申请号： | 201310698551.5 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104733305A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 姚颖;荆建芬;邱腾飞;蔡鑫元 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种低介电材料的修复方法，包括以下步骤：步骤1：将经过先前工艺的形成有低介电材料层的晶圆浸泡于异丙醇溶液中或用异丙醇溶液清洗，步骤2：浸泡或清洗一段时间后，将晶圆取出烘干，测量低介电材料的介电常数。采用本发明所提供的修复方法，可使由于先前工艺上升的介电常数，恢复到原来的水平。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低介电 材料 修复 方法 | ||
【主权项】：
一种低介电材料的修复方法，包括以下步骤：（1）将经过先前工艺的形成有低介电材料层的晶圆浸泡于异丙醇溶液中或用异丙醇溶液清洗，（2）浸泡或清洗一段时间后，将所述晶圆取出烘干，以恢复低介电材料的介电常数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
