[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201310698735.1 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104733294A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 陈勇;卜伟海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底、在衬底上形成栅介质层以及伪栅；在所述衬底形成与所述伪栅相齐平的层间介质层；对层间介质层表面进行离子掺杂，以在层间介质层的表面形成掺杂层；去除栅介质层以及伪栅；在伪栅的位置形成栅极结构。本发明还提供一种半导体器件，包括衬底、栅极以及层间介质层、设于所述层间介质层表面的隔离层。本发明的有益效果在于，通过对所述层间介质层表面以及暴露出的伪栅表面进行离子掺杂，以在所述层间介质层的表面以及伪栅表面形成掺杂层，所述掺杂层能够较好的抵挡后续去除所述伪栅的步骤中对层间介质层的影响，进而减小层间介质层表面消耗，保证后续形成的栅极的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成伪栅；在所述衬底上形成与所述伪栅相齐平的层间介质层；对所述层间介质层表面进行离子掺杂，以在所述层间介质层的表面形成掺杂层；去除所述伪栅；去除所述栅介质层；在去除伪栅和栅介质层后形成的开口中形成栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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