[发明专利]半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201310698748.9 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104733387A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 谢欣云 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供具有PMOS区域和NMOS区域的衬底，衬底表面具有介质层，NMOS区域的介质层内具有第一开口，PMOS区域的介质层内具有第二开口，第一开口内具有第一栅介质层，第二开口内具有第二栅介质层；在第一栅介质层和第二栅介质层表面形成隔离层；对隔离层内进行第一强化处理工艺；在形成隔离层并进行第一强化处理工艺之后，在第一开口和第二开口内形成第二功函数层；对第二功函数层进行第二强化处理工艺；在第二强化处理工艺之后，去除NMOS区域的第二功函数层；在去除NMOS区域的第二功函数层之后，在第一开口内形成第一栅极层，在第二开口内形成第二栅极层。所形成的半导体器件性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有PMOS区域和NMOS区域，所述衬底表面具有介质层，所述NMOS区域的介质层内具有暴露出衬底表面的第一开口，所述PMOS区域的介质层内具有暴露出衬底表面的第二开口，所述第一开口的侧壁和底部表面具有第一栅介质层，所述第二开口的侧壁和底部表面具有第二栅介质层；在所述第一栅介质层和第二栅介质层表面形成隔离层；对所述隔离层内进行第一强化处理工艺；在形成所述隔离层并进行第一强化处理工艺之后，在所述第一开口和第二开口内的隔离层表面形成第二功函数层；对所述第二功函数层进行第二强化处理工艺；在所述第二强化处理工艺之后，去除NMOS区域的第二功函数层；在去除NMOS区域的第二功函数层之后，在第一开口内形成第一栅极层，在第二开口内形成第二栅极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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