[发明专利]带静电保护结构的MOSFET及其制备方法在审
| 申请号： | 201310700074.1 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104733508A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 钟树理;朱超群;陈宇 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种带静电保护结构的MOSFET及其制备方法，该MOSFET包括：衬底；第一导电类型的外延层；源区和栅结构；位于外延层之上的介质层，介质层中具有彼此相邻的源接触孔和栅接触孔；与源区相连的源极金属层，源极金属层的至少一部分形成在介质层之上，且该部分源极金属层通过源接触孔与外延层接触；与栅结构相连的栅极金属层，栅极金属层的至少一部分形成在介质层之上，且该部分栅极金属层通过栅接触孔与外延层接触；第一阱区，第一阱区位于源接触孔下方的外延层中，第一阱区为第二导电类型；第二阱区，第二阱区位于栅接触孔下方的外延层中，第二阱区为第二导电类型。本发明具有抗静电冲击能力强、节约芯片面积，结构简单，工艺简单等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 保护 结构 mosfet 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种带静电保护结构的MOSFET，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底之上的第一导电类型的外延层；位于所述外延层内源区和位于所述外延层内或所述外延层上的栅结构；位于所述外延层之上的介质层，所述介质层中具有彼此相邻的源接触孔和栅接触孔；与所述源区相连的源极金属层，所述源极金属层的至少一部分形成在所述介质层之上，且该部分所述源极金属层通过所述源接触孔与所述外延层接触；与所述栅结构相连的栅极金属层，所述栅极金属层的至少一部分形成在所述介质层之上，且该部分所述栅极金属层通过所述栅接触孔与所述外延层接触；第一阱区，所述第一阱区位于所述源接触孔下方的外延层中，所述第一阱区为与第一导电类型相反的第二导电类型；第二阱区，所述第二阱区位于所述栅接触孔下方的外延层中，所述第二阱区为第二导电类型。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于比亚迪股份有限公司;，未经比亚迪股份有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310700074.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
