[发明专利]提高多层布线通孔光刻工艺容宽的方法有效
| 申请号： | 201310700465.3 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103681479A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 张世权 | 申请（专利权）人： | 无锡中微晶园电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;G03F7/20 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良;刘海 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高多层布线通孔光刻工艺容宽的方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）根据圆片上高、低台阶的图形制作第一通孔版和第二通孔版；（2）在需要进行通孔光刻的圆片表面涂上光刻胶；（3）采用第一通孔版对高台阶部位进行曝光，高台阶部位的光刻孔均处于同一高度、与焦距位置f1一致，曝光后尺寸一致性较好；（4）采用第二通孔版对低台部位进行曝光，低台阶部位的光刻孔均处于同一高度、与焦距位置f2一致，曝光后一致性较好；（5）显影后分别在圆片的高台阶部位和低台阶部位形成光刻孔图形，经过腐蚀形成所需的光刻孔。本发明提高了光刻孔光刻工艺容宽，保证光刻孔光刻工艺的稳定性和可重复性。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 多层 布线 光刻 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种提高多层布线通孔光刻工艺容宽的方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）根据圆片上高、低台阶的图形制作第一通孔版（R1）和第二通孔版（R2），第一通孔版（R1）用于对高台阶部位进行光刻通孔，第二通孔版（R2）用于对低台阶部位进行光刻通孔；（2）在需要进行通孔光刻的圆片表面涂上光刻胶（F）；（3）采用第一通孔版（R1）对高台阶部位进行曝光，高台阶部位的光刻孔均处于同一高度、与焦距位置f1一致，曝光后尺寸一致性较好；（4）采用第二通孔版（R2）对低台部位进行曝光，低台阶部位的光刻孔均处于同一高度、与焦距位置f2一致，曝光后一致性较好；（5）显影后分别在圆片的高台阶部位和低台阶部位形成光刻孔图形，经过腐蚀形成所需的光刻孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
