[发明专利]用于二次电池的负极活性材料及其制备方法无效
申请号: | 201310700662.5 | 申请日: | 2013-12-18 |
公开(公告)号: | CN104347859A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 全城慜;曺宗秀;安亨基 | 申请(专利权)人: | MK电子株式会社 |
主分类号: | H01M4/38 | 分类号: | H01M4/38;C22C1/10 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王铁军 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种用于二次电池的负极活性材料及其制备方法。提供高容量、高效率充电和放电特性的用于二次电池的负极活性材料包含:硅单相;和硅-金属合金相,所述硅单相被所述硅-金属合金相包围,其中,所述负极活性材料包含5至30重量%的镍、5至30重量%的钛和40至90重量%的硅,所述负极活性材料在X射线衍射分析光谱中具有所述硅-金属合金相的第一峰,所述硅单相通过机械合金化精细地分布在所述硅-金属单相中,并且由所述硅-金属合金相的(501)表面产生的第一峰的值比由未经过所述机械合金化的硅-金属合金相的(501)表面产生的第一峰的值大0.6°至0.9°。 | ||
搜索关键词: | 用于 二次 电池 负极 活性 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种负极活性材料,所述负极活性材料包含:硅单相;和硅‑金属合金相,所述硅单相被所述硅‑金属合金相包围,其中,所述负极活性材料包含5至30重量%的镍、5至30重量%的钛和40至90重量%的硅,所述负极活性材料在X射线衍射分析光谱中具有所述硅‑金属合金相的第一峰,所述硅单相通过机械合金化精细地分布在所述硅‑金属单相中,并且由所述硅‑金属合金相的(501)表面产生的第一峰的值比由未经过所述机械合金化的硅‑金属合金相的(501)表面产生的第一峰的值大0.6°至0.9°。
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