[发明专利]无引线平面表贴式厚膜混合集成电路的集成方法有效
申请号: | 201310700979.9 | 申请日: | 2013-12-19 |
公开(公告)号: | CN103632984A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 杨成刚;赵晓辉;苏贵东;王德成 | 申请(专利权)人: | 贵州振华风光半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/56;H01L21/98 |
代理公司: | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人: | 刘安宁 |
地址: | 550018 贵*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | 发明公开了无引线平面表贴式厚膜混合集成电路集成方法,该方法是采用在陶瓷基片上,直接将厚膜混合集成电路对外连接端制作在陶瓷基片的底面,对外连接端为平面型,在陶瓷基片的正面和底面进行混合集成,对厚膜导带、厚膜阻带、厚膜电容、厚膜电感采用绝缘介质厚膜进行密封、绝缘保护,对半导体裸芯片采用绝缘介质浆料进行涂封和固化保护。本方法特点有:①无封装外壳,体积缩小;②无引脚及相应的内引线,减小高频干扰;③实现表贴式安装,缩小装备体积,提升装备的高频性能;④提高装备系统可靠性。本方法生产的集成电路广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域,特别适用于装备系统小型化、高频、高可靠的领域。 | ||
搜索关键词: | 引线 平面 表贴式厚膜 混合 集成电路 集成 方法 | ||
【主权项】:
无引线平面表贴式厚膜混合集成电路集成方法,其基本工艺是常规的厚膜混合集成电路制作工艺,其特征在于:采用在陶瓷基片上直接将厚膜混合集成电路对外连接端制作在陶瓷基片的底面,对外连接端为平面形,在陶瓷基片的正面和底面进行混合集成,对厚膜导带、厚膜阻带、厚膜电容、厚膜电感采用绝缘介质厚膜进行密封、绝缘保护,对正面混合集成的半导体裸芯片采用绝缘介质浆料进行涂封和固化保护;具体做法是取消原有方法的封帽工序,增加如下工序:⑴ 在厚膜导带印刷前增加基片通孔打孔工序; ⑵ 在进行导带印刷的同时,进行通孔金属浆料填充;⑶ 引出端焊接面进行加厚印刷;⑷ 阻带修调完毕后,进行绝缘介质浆料印刷,采用三氧化二铝陶瓷浆料,烧结成膜;⑸ 在已组装和键合后的半导体裸芯片区域涂封绝缘介质浆料,采用低温固化玻璃浆料进行涂封。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造