[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域。所述薄膜晶体管的制备方法包括：通过一次构图工艺形成包括源电极、漏电极和有源层的图形，其中，所述源电极、漏电极和有源层同层设置，所述有源层位于所述源电极、所述漏电极之间。本发明的薄膜晶体管、阵列基板的制备工艺流程简单。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：通过一次构图工艺形成包括源电极、漏电极和有源层的图形，其中，所述源电极、漏电极和有源层同层设置，所述有源层位于所述源电极、所述漏电极之间；所述通过一次构图工艺形成包括源电极、漏电极和有源层的图形包括：形成金属氧化物导体薄膜；形成覆盖所述金属氧化物导体薄膜的光刻胶层，采用半曝光技术对所述光刻胶层曝光、显影，形成对应源电极区和漏电极区的光刻胶保留区，对应有源层区的光刻胶半保留区，以及光刻胶去除区；刻蚀所述金属氧化物导体薄膜，所述光刻胶去除区的金属氧化物导体薄膜被去除；对金属氧化物导体薄膜进行离子注入，有源层区对应的金属氧化物导体薄膜成为半导体，形成有源层；源电极和漏电极上方有光刻胶保护，仍为导体；剥离光刻胶，露出源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间的有源层。