[发明专利]甲基对硫磷分子印迹电化学传感器及其制备方法无效
| 申请号： | 201310702806.0 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103675050A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 法焕宝;毛亚丽;杜艳秋;尹伟;成艳梅;侯长军;霍丹群;罗小刚 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26;G01N27/30 |
| 代理公司： | 重庆大学专利中心 50201 | 代理人： | 唐开平 |
| 地址： | 400044 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种甲基对硫磷分子印迹电化学传感器及其制备方法。该传感器包括玻碳电极，在玻碳电极上覆盖羧基石墨烯-纳米金复合材料涂层，在所述羧基石墨烯-纳米金复合材料涂层上具有与甲基对硫磷分子对应的分子印迹孔穴。其制备方法包括羧基石墨烯-纳米金复合材料的合成、用石墨烯-纳米金复合材料修饰玻碳电极、形成甲基对硫磷分子印迹膜板、去除甲基对硫磷分子印迹膜板分子四个步骤。通过电化学性能测试，本发明甲基对硫磷分子印迹传感器的灵敏度较高，用甲基对硫磷溶液浓度为4×10-8mol.L-1与浓度为0对比，电流曲线发生了明显变化，实现了对低浓度甲基对硫磷进行微痕量检测。 | ||
| 搜索关键词： | 甲基 对硫磷 分子 印迹 电化学传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种甲基对硫磷分子印迹电化学传感器，包括玻碳电极，其特征是：在玻碳电极上覆盖羧基石墨烯‑纳米金复合材料涂层，在所述羧基石墨烯‑纳米金复合材料涂层上具有与甲基对硫磷分子对应的分子印迹孔穴。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆大学，未经重庆大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310702806.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
