[发明专利]用于片上光互连的激光器封装方法有效
| 申请号： | 201310702808.X | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103633551A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 熊康;周亮;李世瑜;王丽娟 | 申请（专利权）人： | 武汉电信器件有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 刘付兴 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 种用于片上光互连的激光器封装方法，包括采用CMOS工艺在SOI基片上制作光栅及波导器件结构、覆盖层及第一金属电极层；在过渡块上制作第二金属电极层和凹槽，将激光器贴装在过渡块平台预定位置；将过渡块放置在光栅结构上方；利用互连金线将激光器电极与第一、二金属电极层连接；将准直透镜放在过渡块凹槽，经调节后通过填充固化胶固化、密封在凹槽上，之后在凹槽上放置反射镜，调节反射镜，保证激光器通电发出的光经准直透镜、反射镜及光栅区域后使波导器件结构获得最大输出光，将反射镜与过渡块凹槽间、过渡块与SOI基片间填充固化胶固化、密封即可。本发明以SOI基片上的光栅结构作为光接口与激光器实现垂直耦合，封装过程简单。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 上光 互连 激光器 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种用于片上光互连的激光器封装方法，包括如下步骤：（1）采用CMOS工艺在SOI基片上制作光栅及波导器件结构、覆盖层及第一金属电极层；（2）在一过渡块上制作第二金属电极层，采用刻蚀工艺在过渡块上制作凹槽，将激光器贴装在过渡块平台表面的预定位置；（3）将贴装激光器的过渡块放置在SOI基片上的光栅结构上方；（4）利用互连金线将激光器下表面的电极与SOI基片上的第一金属电极层、过渡块上的第二金属电极层相连接；（5）将准直透镜和反射镜放置在过渡块的凹槽上，准直透镜经调节后通过填充固化胶固化、密封在凹槽上，之后调节反射镜，保证激光器通电发出的光经准直透镜、反射镜及SOI基片上的光栅区域后使波导器件结构获得最大输出光时，将反射镜与过渡块凹槽之间、过渡块与SOI基片之间分别填充固化胶固化、密封，完成器件的封装。
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