[发明专利]一种边发射半导体激光器腔面的非解理制备方法有效
| 申请号： | 201310703155.7 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103701035A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 李耀耀;王庶民;曹春芳;龚谦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种边发射半导体激光器谐振腔腔面的非解理制备方法。其特征在于：设计并生长激光器的特定材料结构，利用光刻方法制备激光器的谐振腔掩膜图形，根据激光器材料结构选用特定腐蚀液并刻蚀谐振腔，再利用选择性腐蚀液对腐蚀牺牲层进行侧向腐蚀，在激光器腔面处形成悬臂结构，利用超声震断悬臂结构，形成激光器前后腔面。利用本发明的方法制备激光器前后腔面，可以在不需要解理衬底的条件下，形成高质量的激光器腔面。利用本发明可以制备特定条件下的激光器腔面，比如激光器衬底难以解理形成高质量解理面或者由于特定需要激光器衬底不能被解理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 半导体激光器 解理 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种边发射半导体激光器腔面的非解理制备方法，其特征在于包括：（1）设计并生长激光器的特定材料结构，在激光器有源区下方插入腐蚀牺牲层；（2）利用光刻方法制备激光器的谐振腔掩膜图形，根据激光器材料结构刻蚀谐振腔；（3）再利用选择性腐蚀液对腐蚀牺牲层进行侧向腐蚀，在激光器腔面处形成悬臂结构；（4）利用超声震断悬臂结构，形成激光器前后腔面。
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