[发明专利]DBR用薄膜制备方法有效
| 申请号： | 201310704877.4 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104733578A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 王宽冒 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;C23C14/54;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/10 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 陈振 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种DBR用薄膜制备方法，包括如下步骤：S100，在第一预设时间内，按第一流量值向工艺腔室中充入氧气后，将衬底放入到工艺腔室中；S200，继续按第一流量值向工艺腔室中充入氧气，同时在衬底上表面沉积DBR用薄膜至第二预设时间；S300，按第二流量值向工艺腔室中充入氧气，同时在衬底上表面沉积DBR用薄膜至第三预设时间，其中，第二流量值小于第一流量值；S400，返回步骤S200，直至DBR用薄膜的厚度为预设厚度；其中，在步骤S100—步骤S400中按第四流量值向工艺腔室中持续充入工艺气体。其通过改变工艺腔室中的氧含量，有效提高了DBR用薄膜的沉积效率，从而提高了产能。 | ||
| 搜索关键词： | dbr 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种DBR用薄膜制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S100，在第一预设时间内，按第一流量值向工艺腔室中充入氧气后，将衬底放入到所述工艺腔室中；S200，继续按所述第一流量值向所述工艺腔室中充入氧气，同时在所述衬底上表面沉积DBR用薄膜至第二预设时间；S300，按第二流量值向所述工艺腔室中充入氧气，同时在所述衬底上表面沉积所述DBR用薄膜至第三预设时间，其中，所述第二流量值小于所述第一流量值；S400，返回步骤S200，直至所述DBR用薄膜的厚度为预设厚度；其中，在步骤S100—步骤S400中按第四流量值向所述工艺腔室中持续充入工艺气体。
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