[发明专利]抗静电膜、抗静电膜的制造方法和包括抗静电膜的显示装置有效
申请号: | 201310705371.5 | 申请日: | 2013-12-19 |
公开(公告)号: | CN104118179B | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 全泰桓;金圣姬;黄晙植;朴贵弘;高有善 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | B32B27/06 | 分类号: | B32B27/06;B32B33/00;C09K3/16;G02B27/22;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 庞东成;李栋修 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及抗静电膜、抗静电膜的制造方法和包括抗静电膜的显示装置。所述抗静电膜包括基板;设置在所述基板上的包含导电材料、原硅酸四乙酯(TEOS)和倍半硅氧烷(SSQ)的下涂层和设置在所述下涂层上的包含所述导电材料和原硅酸四乙酯的上涂层。 | ||
搜索关键词: | 抗静电膜 原硅酸四乙酯 导电材料 显示装置 下涂层 基板 倍半硅氧烷 制造 | ||
【主权项】:
一种立体显示装置,所述装置包括:薄膜晶体管阵列基板;面对所述薄膜晶体管阵列基板并包括黑色矩阵的彩色滤光片基板;在所述彩色滤光片基板上形成的黑色条纹,该黑色条纹对应于所述黑色矩阵形成;和在所述黑色条纹上形成的抗静电膜,所述抗静电膜作为平坦的薄膜而形成,其中,所述抗静电膜包括下涂层,所述下涂层包含导电材料、原硅酸四乙酯(TEOS)和倍半硅氧烷(SSQ);和设置在所述下涂层上的上涂层,所述上涂层包含所述导电材料和原硅酸四乙酯。
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