[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供半导体装置，其能够以小的面积抑制闩锁效应的发生。在少数载流子捕获区域中，P型扩散区（22）、N型阱（24）和P型扩散区（25）形成于P型半导体衬底（27）的表面。N型扩散区（23）形成于N型阱（24）的表面。此时，N型阱（24）夹在P型扩散区（22）和P型扩散区（25）之间。P型扩散区（22）和P型扩散区（25）不是以最短距离进行连接，而是通过迂回地配置的金属膜配线进行连接，并且，双方都与接地焊盘（12）连接。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具备：P型半导体衬底，其具有输入/输出用焊盘、接地焊盘和电源焊盘；第一N型扩散区，其设于所述半导体衬底，并与所述输入/输出用焊盘连接；内部电路区域，其设于所述半导体衬底；以及少数载流子捕获区域，其设置于所述第一N型扩散区和所述内部电路区域之间，所述少数载流子捕获区域具有第一P型扩散区、第二P型扩散区和第二N型扩散区这三重保护环，所述第二N型扩散区夹在所述第一P型扩散区和所述第二P型扩散区之间，所述少数载流子捕获区域捕获由于对所述输入/输出用焊盘施加的电涌而在所述半导体衬底中产生的少数载流子，所述第一P型扩散区和所述第二P型扩散区经由相离地配置的金属膜配线分别与所述接地焊盘连接，所述第二N型扩散区与所述电源焊盘连接。