[发明专利]GaN高电子迁移率晶体管和GaN二极管有效
| 申请号： | 201310706281.8 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103887334B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 雷德弗里德勒·阿德里安斯·玛利亚·胡尔克斯;杰伦·克龙;约翰尼斯·唐克斯;斯蒂芬·海尔;简·雄斯基 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/872;H01L29/423;H01L21/335;H01L21/329;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 麦善勇,张天舒 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | GaN异质结结构具有三层电介质结构。栅电极的底部和中部一起限定了栅脚，并且与两个电介质层相关联。较薄的第一电介质与栅电极底部处的栅极边缘相邻。第二电介质层与传统结构中的层相对应，并且第二电介质层与栅脚的主要部分齐平。 | ||
| 搜索关键词： | gan 电子 迁移率 晶体管 二极管 | ||
【主权项】：
一种GaN异质结半导体器件，包括：衬底；层结构，包括具有第一带隙的第一层和具有第二带隙的第二层，其中第一层位于衬底和第二层之间；以及肖特基栅电极和第一另外电极，分别与异质结的不同区域导电耦合，所述肖特基栅电极包括中央区域和边缘区域，其中所述肖特基栅电极包括：底部，所述底部与第二层上的第一电介质层共面；中部，所述中部与第二电介质层共面，所述中部叠置于底部上；以及顶部，所述顶部与第三电介质层共面，所述顶部叠置于所述中部上；并且其中腔体用作所述第一电介质层的材料。
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