[发明专利]一种对大尺寸氟化钙晶体进行退火的方法无效
| 申请号： | 201310706517.8 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103643301A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 姜大朋;苏良碧;王静雅;钱小波;唐飞;吴峰;徐军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/12 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对大尺寸氟化钙晶体进行退火的方法，所述方法包括以下步骤：将所需退火的氟化钙晶体放入坩埚中，用氟化钙碎晶原料掩埋覆盖，同时避免晶体与坩埚和空气直接接触；放入真空退火炉中，进行真空退火或气氛退火；所述退火工艺是先以20～50℃/h的升温速率升温至900～1100℃，然后恒温20～60小时，再以小于20℃/h的降温速率降至室温。采用本发明退火方法，可完全消除晶体内残余热应力，有利于提高大尺寸氟化钙晶体的光学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 氟化钙 晶体 进行 退火 方法 | ||
【主权项】：
一种对大尺寸氟化钙晶体进行退火的方法，其特征在于，包括如下步骤：a)将所需退火的氟化钙晶体放入坩埚中，用氟化钙碎晶原料掩埋覆盖，同时避免晶体与坩埚和空气直接接触；b)放入真空退火炉中，进行真空退火或气氛退火；所述退火工艺是先以20～50℃/h的升温速率升温至900～1100℃，然后恒温20～60小时，再以小于20℃/h的降温速率降至室温。
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