[发明专利]一种非光刻技术制备倒金字塔结构硅表面的方法有效
| 申请号： | 201310708219.2 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN104733302B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 王富国;张俊彦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 方晓佳 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种非光刻技术制备倒金字塔结构硅表面的方法。本发明首先采用氢氟酸乙醇溶液中电化学刻蚀的方法在N型单晶硅表面制备多孔硅覆盖的倒金字塔结构界面，然后采用碱性溶液浸泡的方法去掉多孔硅层获得倒金字塔结构表面。获得的金字塔结构是由四个{111}晶面构成的倒金字塔结构，其尺寸在0.5‑15um范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 倒金字塔结构 制备 光刻技术 硅表面 金字塔结构 氢氟酸乙醇 多孔硅层 化学刻蚀 碱性溶液 多孔硅 晶面 浸泡 覆盖 | ||
【主权项】：
一种非光刻技术制备倒金字塔结构硅表面的方法，其特征在于该方法将N型100单晶硅片在丙酮中超声清洗，然后固定到一个正方体形聚四氟乙烯，刻蚀槽的一侧，槽上有孔，单面刻蚀，正极接硅片，负极接石墨片，在紫外灯背光照射条件下，氢氟酸乙醇溶液中进行电化学刻蚀，将电化学刻蚀后的硅片从PTFE刻蚀槽取下，在室温条件下放入NaOH溶液中除掉多孔层；获得的金字塔结构是由四个{111}晶面构成的倒金字塔结构，其尺寸在0.5‑15μm范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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