[发明专利]非易失性半导体存储器件在审
| 申请号： | 201310710966.X | 申请日： | 2008-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103730516A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 安田直树 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/51;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种非易失性半导体存储器件，包括：半导体区；在所述半导体区上的第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上的电荷存储层；在所述电荷存储层上的第二绝缘膜；以及在所述第二绝缘膜上的控制栅电极，其中，所述第二绝缘膜包含：与所述电荷存储层接触的底层（A）、与所述控制栅极接触的顶层（C）、以及在所述底层（A）与所述顶层（C）之间的中间层（B），所述中间层（B）包含(SiO2)x(Si3N4)1-x，其中，0.75≤x≤1，所述底层（A）包含氧化铝、氮氧化铝、硅酸铝、氮化硅酸铝、氧化铪以及铝铪氧化物中之一，所述顶层（C）包含氧化铝、氮氧化铝、硅酸铝、氮化硅酸铝以及氮化硅中之一。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储器件，包括：半导体区；在所述半导体区上的第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上的电荷存储层；在所述电荷存储层上的第二绝缘膜；以及在所述第二绝缘膜上的控制栅电极，其中，所述第二绝缘膜包含：与所述电荷存储层接触的底层（A）、与所述控制栅极接触的顶层（C）、以及在所述底层（A）与所述顶层（C）之间的中间层（B），所述中间层（B）包含(SiO2)x(Si3N4)1‑x，其中，0.75≤x≤1，所述底层（A）包含氧化铝、氮氧化铝、硅酸铝、氮化硅酸铝、氧化铪以及铝铪氧化物中之一，所述顶层（C）包含氧化铝、氮氧化铝、硅酸铝、氮化硅酸铝以及氮化硅中之一。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310710966.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种空调排水管的密封结构
- 下一篇：预留线管固定支架
- 同类专利
- 专利分类
