[发明专利]纳米级二氧化硅的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310711576.4 申请日: 2013-12-20
公开(公告)号: CN103626191A 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 李丹阳;杨先金;章林;刘瑞;龚亚云;林乐洪 申请(专利权)人: 贵州万方铝化科技开发有限公司
主分类号: C01B33/12 分类号: C01B33/12;B82Y30/00
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 吴开磊
地址: 550022 贵州省贵阳市国*** 国省代码: 贵州;52
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摘要: 发明涉及化工领域,具体而言,涉及纳米级二氧化硅的制备方法,包括:将含硅物质和氟化物混合后进行氟化反应,得到气相四氟化硅;将四氟化硅高温水解得到纳米级二氧化硅;对二氧化硅进行骤冷结晶得到颗粒状的二氧化硅;其中,含硅物质包括:含硅金属氧化物的矿物或含二氧化硅的废料。本发明中采用的反应物为含硅金属氧化物的矿物或含二氧化硅的废料的含硅物质,这种原料比比皆是,来源广,取材方便,成本较低,又因为硅为亲氟物质,与氟接触优先反应生成气相的四氟化硅,四氟化硅通过高温水解,发生分子间反应则得到纳米级二氧化硅,随后经过骤冷结晶进行团聚形成颗粒状二氧化硅,供收集。
搜索关键词: 纳米 二氧化硅 制备 方法
【主权项】:
一种纳米级二氧化硅的制备方法,其特征在于,包括:将含硅物质和氟化物混合后进行氟化反应,得到气相四氟化硅;将所述四氟化硅高温水解得到纳米级二氧化硅;对所述二氧化硅进行骤冷结晶得到颗粒状的所述二氧化硅;其中,所述含硅物质包括:含硅金属氧化物的矿物或含二氧化硅的废料。
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