[发明专利]用于提供具有设计垂直磁各向异性的磁性结的方法和系统有效
申请号: | 201310711863.5 | 申请日: | 2013-12-20 |
公开(公告)号: | CN103887423B | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | D.阿帕尔科夫;C-M.朴;R.切普尔斯基;A.V.科瓦尔科夫斯基;唐学体 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/12 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 翟然 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种提供可用在磁性装置中的磁性结的方法和系统。磁性结包括参考层、非磁性间隔层和自由层。非磁性间隔层在参考层和自由层之间。自由层具有设计垂直磁各向异性。设计PMA包括绝缘插入层诱导PMA、应力诱导PMA、由于界面对称破坏导致的PMA以及晶格失配诱导PMA中的至少一个。磁性结被配置为使得当写电流通过磁性结时自由层在多个稳定的磁性状态之间可转换。 | ||
搜索关键词: | 用于 提供 具有 设计 垂直 各向异性 磁性 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种在磁性装置中使用的磁性结,包括:参考层;非磁性间隔层;和具有设计垂直磁各向异性的自由层,所述非磁性间隔层在所述参考层与所述自由层之间,所述设计垂直磁各向异性包括绝缘插入层诱导垂直磁各向异性、应力诱导垂直磁各向异性、由于界面对称破坏导致的垂直磁各向异性和晶格失配诱导垂直磁各向异性中的至少一个;其中所述磁性结配置为使得当写电流通过所述磁性结时,所述自由层在多个稳定的磁性状态之间可转换,其中所述自由层包括多个磁性层,所述多个磁性层包括至少一个氧化物层和多个导电层,所述至少一个氧化物层是铁磁的,与所述多个导电层交替设置,并且被夹置在所述多个导电层之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310711863.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。