[发明专利]成膜方法有效
申请号: | 201310712445.8 | 申请日: | 2013-12-20 |
公开(公告)号: | CN103882408B | 公开(公告)日: | 2017-06-23 |
发明(设计)人: | 立花光博;池川宽晃;和村有;尾谷宗之;小川淳;高桥宏辅 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/40;H01L21/316 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种成膜方法。该成膜方法利用成膜装置在上述多个基板上形成含有第1元素及第2元素的掺杂氧化膜,该成膜方法包括以下工序成膜工序,从上述第1气体供给部供给含有上述第1元素的第1反应气体,从上述第2气体供给部供给氧化气体,在上述基板上形成含有上述第1元素的氧化膜;以及掺杂工序,从上述第1气体供给部和上述第2气体供给部中的一者供给含有上述第2元素的第2反应气体,从上述第1气体供给部和上述第2气体供给部中的另一者供给非活性气体,在上述氧化膜上掺杂上述第2元素。 | ||
搜索关键词: | 方法 | ||
【主权项】:
一种成膜方法,其利用成膜装置在多个基板上形成在含有规定的第1元素的第1氧化膜中掺杂第2元素而成的掺杂氧化膜;上述成膜装置包括:旋转台,其以能够旋转的方式收容在腔室内,具有能够在上表面载置上述多个基板的载置部;第1处理区域,其在上述旋转台的上述上表面的上方被划分而成,具有用于朝向上述旋转台的上述上表面供给气体的第1反应气体供给部;第2处理区域,其沿着上述旋转台的圆周方向与上述第1处理区域分开地配置,具有用于向上述旋转台的上述上表面供给气体的第2反应气体供给部;以及分离区域,其设于上述第1处理区域和上述第2处理区域之间,具有分离气体供给部和顶面,该分离气体供给部用于向上述旋转台的上述上表面供给分离气体,该顶面相对于上述旋转台的上述上表面形成用于将来自该分离气体供给部的上述分离气体向上述第1处理区域和上述第2处理区域引导的狭窄的空间,其中,该成膜方法包括以下工序:第1成膜工序,在从上述第1反应气体供给部供给含有上述第1元素的第1反应气体、从上述第2反应气体供给部供给氧化气体、从上述分离气体供给部供给上述分离气体的状态下,使上述旋转台旋转规定圈数,在上述基板上形成含有上述第1元素的第1氧化膜;以及掺杂工序,在从上述第1反应气体供给部和上述第2反应气体供给部中的一者供给含有上述第2元素的第2反应气体、从上述第1反应气体供给部和上述第2反应气体供给部中的另一者供给非活性气体、从上述分离气体供给部供给上述分离气体的状态下,使上述旋转台旋转规定圈数,在上述第1氧化膜上掺杂上述第2元素,其中,在上述掺杂工序的前后分别具有第1吹扫工序及第2吹扫工序,在该第1吹扫工序及第2吹扫工序中,在从上述第1反应气体供给部供给上述分离气体、从上述第2反应气体供给部供给非活性气体、从上述分离气体供给部供给上述分离气体的状态下,使上述旋转台旋转,以及在上述第1成膜工序和上述掺杂工序之间具有这样的第1后氧化工序:在从上述第1反应气体供给部供给上述分离气体、从上述第2反应气体供给部供给上述氧化气体、从上述分离气体供给部供给上述分离气体的状态下,使上述旋转台旋转至少1圈。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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