[发明专利]多模式薄膜沉积设备以及薄膜沉积方法有效
申请号: | 201310712741.8 | 申请日: | 2013-12-20 |
公开(公告)号: | CN104674191A | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | 林龚樑;陈建志;董福庆;陈志勇;林士钦;林冠宇;张家豪;吴学宪 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种多模式薄膜沉积设备以及薄膜沉积方法。多模式薄膜沉积设备包括反应腔室、承载座、气体喷洒头、惰性气体供应源、第一进气系统与第二进气系统。承载座设置于反应腔室中。气体喷洒头具有气体混合室与位于气体混合室一侧的多个气孔,且气孔朝向承载座使气体混合室与反应腔室连通。第一进气系统连接于反应腔室并提供第一薄膜沉积模式时所需的第一制作工艺气体。惰性气体供应源连接于气体混合室,提供惰性气体。第二进气系统连接于气体混合室并提供第二薄膜沉积模式时所需的第二制作工艺气体。 | ||
搜索关键词: | 模式 薄膜 沉积 设备 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种多模式薄膜沉积设备,其特征在于,包括:反应腔室,具有第一开口及第二开口,该第一开口与该第二开口为同一轴向,以贯穿该反应腔室;承载座,适于承载基板,该承载座设置于该反应腔室中;第一进气系统,适于提供第一薄膜沉积模式时所需的第一制作工艺气体,该第一进气系统连接于该第一开口;气体喷洒头,具有气体混合室与多个气孔,其中该些气孔位于该气体混合室的一侧,且该些气孔朝向该承载座,该气体混合室通过该些气孔而与该反应腔室连通;惰性气体供应源,连接于该气体喷洒头的该气体混合室,适于提供不与该第一制作工艺气体反应的惰性气体;以及第二进气系统,适于提供第二薄膜沉积模式时所需的第二制作工艺气体,该第二进气系统连接于该气体喷洒头的该气体混合室。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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