[发明专利]一种带电子倍增的铂硅红外焦平面探测器有效
| 申请号： | 201310712947.0 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103698018A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 王岭雪;康冰心;蔡毅;贺宇;罗秀丽;张猛蛟;薛唯;高岳 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | G01J5/00 | 分类号： | G01J5/00 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 高燕燕;仇蕾安 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带电子倍增的铂硅红外焦平面探测器，属于红外成像领域。本发明包括铂硅红外焦平面列阵和电子倍增结构；其中铂硅红外焦平面列阵用于将探测红外信号并将红外信号转换为电信号，电子倍增结构用于将电信号进行倍增放大；所使用的铂硅红外焦平面列阵具有铂硅肖特基势垒型光敏元、垂直移位寄存器以及水平移位寄存器；电子倍增结构是在所述铂硅红外焦平面列阵的硅衬底上扩展一块长条形区域，该长条形区域上具有n个倍增区；电子倍增结构的一端通过在硅衬底上布线与水平移位寄存器的信号输出端连接或者与垂直移位寄存器的信号输出端连接。本发明适用于提高铂硅红外焦平面探测器的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 倍增 红外 平面 探测器 | ||
【主权项】：
一种带电子倍增的铂硅红外焦平面探测器，包括铂硅红外焦平面列阵，所使用的铂硅红外焦平面列阵具有铂硅肖特基势垒型光敏元、垂直埋沟CCD移位寄存器以及水平埋沟CCD移位寄存器；其特征在于，所述带电子倍增的铂硅红外焦平面探测器还包括电子倍增结构和输出放大器；所述铂硅红外焦平面列阵用于将探测红外信号并将红外信号转换为电信号，所述电子倍增结构用于将所述电信号进行倍增放大；所述电子倍增结构是在所述铂硅红外焦平面列阵的硅衬底上扩展一块长条形区域，该长条形区域上具有n个倍增区；电子倍增结构的一端作为输入端具有a或b两种连接方式：a、通过在硅衬底上布线与所述水平埋沟CCD移位寄存器的信号输出端连接；b、通过在硅衬底上布线与所述垂直埋沟CCD移位寄存器的信号输出端连接；当采用第a种连接方式时，电子倍增结构的另一端作为输出端，与读出放大器连接，形成带电子倍增的铂硅红外焦平面探测器的输出端；当采用第b种连接方式时，电子倍增结构的另一端连接水平埋沟CCD移位寄存器的一位，水平埋沟CCD移位寄存器的信号输出端连接读出放大器作为带电子倍增的铂硅红外焦平面探测器的输出端。
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