[发明专利]液处理装置和液处理方法有效
申请号: | 201310713222.3 | 申请日: | 2013-12-20 |
公开(公告)号: | CN103887209B | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
发明(设计)人: | 高栁康治;领川幸江;吉田勇一;吉原孝介;寺下裕一;古庄智伸;佐佐卓志 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/027 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供液处理装置和液处理方法。利用一个过滤器得到与设有多个过滤器时相同的过滤效率并谋求防止生产率降低。根据来自控制部(101)的控制信号,将抗蚀剂液(L)经由过滤器(52)吸入到泵(70)内,将被吸入到泵内的抗蚀剂液的一部分自喷射嘴(7)喷射,使余下的抗蚀剂液返回到供给管路(51b)中的位于过滤器的初级侧的部分,将与喷射量相等的补充量加入到返回量中而进行合成,对合成后的抗蚀剂液以与喷射量和返回量之比的合成相应的次数进行抗蚀剂液的喷射和由过滤器进行的过滤。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种液处理装置,其特征在于,该液处理装置包括:处理液容器,其用于贮存处理液;喷射嘴,其用于向被处理基板喷射上述处理液;供给管路,其将上述处理液容器和上述喷射嘴连接起来;过滤器,其夹设在上述供给管路上,用于过滤上述处理液;泵,其夹设在上述供给管路中的位于上述过滤器的次级侧的部分上;返回管路,其将上述泵和上述供给管路中的位于上述过滤器的次级侧的部分连接起来;第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀,该第1开闭阀设于上述泵与上述过滤器相连接的连接部,该第2开闭阀设于上述泵与上述喷射嘴相连接的连接部,该第3开闭阀设于上述泵与上述返回管路相连接的连接部;以及控制部,其用于控制上述泵以及第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀,根据来自上述控制部的控制信号,将由于上述泵的吸入而通过上述过滤器的处理液的一部分自上述喷射嘴喷射,使余下的处理液返回到供给管路中的位于上述过滤器的初级侧的部分,将与喷射量相等的补充量加入到返回量中而进行合成,对合成后的处理液以与上述喷射量和上述返回量之比相应的次数进行喷射和由上述过滤器进行过滤,其中,与上述喷射量和上述返回量之比相应的次数是指将以已过滤的状态返回到上述过滤器的初级侧的处理液和以未过滤的状态补充的处理液合成所得到的处理液的清洁度置换成过滤次数所得到的合成过滤次数,通过计算式(2)来表示上述合成过滤次数:An=(a+2b)/a-2b/a×{b/(a+b)}n‑1…(2)其中,An表示上述合成过滤次数,a、b分别表示上述喷射量与上述返回量之比中的比数数值,n表示使上述处理液通过上述过滤器的次数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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