[发明专利]集成电路充电驱动器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种集成电路充电驱动器及其制造方法。该制造方法包括：提供基板，基板是p+/p-型外延基板并用作PNP管的集电极，基板包含PNP区和NMOSFET区；在基板的NMOSFET区中形成n型埋层；分别在PNP区的两侧和NMOSFET区的两侧形成p型下隔离；沉积n-外延，n-外延由p型下隔离隔断以形成n-外延岛；在p型下隔离上形成p型上隔离，且n型埋层位于NMOSFET的p阱下方；在n-外延岛上形成多个n+区，PNP区中的n+区用作基极且NMOSFET区中的n+区分别用作源极和漏极；在n-外延岛上形成多个p+区，PNP区中的p+区用作发射极，且NMOSFET区中的p+区用作p阱；以及在NMOSFET区上进一步形成栅极。

主权项

一种集成电路充电驱动器的制造方法，其特征在于，所述集成电路充电驱动器集成有PNP管和NMOSFET管，该制造方法包括：a.提供基板，所述基板是p+/p‑型外延基板并用作所述PNP管的集电极，所述基板包含PNP区和NMOSFET区；b.在所述基板的NMOSFET区中形成n型埋层;c.分别在所述PNP区的两侧和所述NMOSFET区的两侧形成p型下隔离；d.沉积n‑外延，所述n‑外延由所述p型下隔离隔断以形成n‑外延岛；e.在所述p型下隔离上形成p型上隔离，所述p型上隔离在所述NMOSFET区中进一步用作p阱，且所述n型埋层位于NMOSFET的p阱下方；f.在所述n‑外延岛上形成多个n+区，所述PNP区中的n+区用作基极且所述NMOSFET区中的n+区分别用作源极和漏极；g.在所述n‑外延岛上形成多个p+区，所述PNP区中的p+区用作发射极以形成所述PNP管，且所述NMOSFET区中的p+区用作p阱；以及h.在所述NMOSFET区上进一步形成栅极，以形成所述NMOSFET管。