[发明专利]压电陶瓷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310714087.4 申请日: 2013-12-20
公开(公告)号: CN103771854A 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 李玉臣;董显林;姚烈 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C04B35/493 分类号: C04B35/493;C04B35/622
代理公司: 上海唯源专利代理有限公司 31229 代理人: 刘秋兰
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种压电陶瓷材料及其制备方法,化学通式为:Pb1-xMx(Sb1/2Nb1/2)y(Mn1/3Sb2/3)z(ZreTif)1-y-zO3+awt.%Fe2O3+bwt.%Sm2O3+cwt.%MnO2+dwt.%Al2O3,其中,M为Sr2+和/或Ba2+;x=0.02~0.1,y=0.01~0.1,z=0.01~0.1,e=0.40~0.60,f=0.40~0.60且满足e+f=1;a=0~0.4,b=0~0.5,c=0~1.0,d=0~1.0且Fe2O3、Sm2O3、MnO2和Al2O34种掺杂物中至多1种掺杂物的含量为0。本发明的压电陶瓷材料的主要性能为:d33=210pC/N,ε33T0=585,tanδ=0.20%,kp=0.56,kt=0.54,Qm=1210。相对于一般的功率发射型压电陶瓷材料,本发明的压电陶瓷材料具有较低的介电常数、较小的介电损耗同时具有较高的机械品质因数和机电耦合系数,是一种性能优良的低介电常数、高机械品质因数功率发射型压电陶瓷材料。
搜索关键词: 压电 陶瓷材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种压电陶瓷材料,其特征在于其化学通式为:Pb1‑xMx(Sb1/2Nb1/2)y(Mn1/3Sb2/3)z(ZreTif)1‑y‑zO3+awt.%Fe2O3+bwt.%Sm2O3+cwt.%MnO2+dwt.%Al2O3,其中,M为Sr2+和/或Ba2+;x=0.02~0.1,y=0.01~0.1,z=0.01~0.1,e=0.40~0.60,f=0.40~0.60且满足e+f=1;a=0~0.4,b=0~0.5,c=0~1.0,d=0~1.0且Fe2O3、Sm2O3、MnO2和Al2O34种掺杂物中至多1种掺杂物的含量为0。
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