[发明专利]低偏振相关损耗铌酸锂直条波导相位调制器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310714376.4 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103676219B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 郑国康;夏君磊;刘福民;黄韬;汪飞琴;关涛 | 申请（专利权）人： | 北京航天时代光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心11009 | 代理人： | 范晓毅 |
| 地址： | 100094*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及低偏振相关损耗铌酸锂直条波导相位调制器及其制备方法，该调制器包括铌酸锂光波导芯片和分别耦合粘接在铌酸锂光波导芯片两端的第一保偏尾纤组件和第二保偏尾纤组件，铌酸锂光波导芯片包括铌酸锂衬底、钛扩散波导区、退火外扩散区和金属电极，铌酸锂衬底采用x切y传晶片，钛扩散区域和退火外扩散区位于铌酸锂衬底的表层，且退火外扩散区位于钛扩散区域的两侧，金属电极位于退火外扩散区的表面，且正负电极关于钛扩散区域对称；第一、二保偏尾纤组件均包括第一保偏光纤和第一光纤固定块，该调制器同时实现器件低插入损耗和低偏振相关损耗，实现两个偏振态的功率均分，有效消除调制波形失真的情况，提高电光调制精度。 | ||
| 搜索关键词： | 偏振 相关 损耗 铌酸锂 直条 波导 相位 调制器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
低偏振相关损耗铌酸锂直条波导相位调制器，其特征在于：包括铌酸锂光波导芯片和分别耦合粘接在铌酸锂光波导芯片两端的第一保偏尾纤组件和第二保偏尾纤组件，第一保偏尾纤组件为输入端，第二保偏尾纤组件为输出端，其中铌酸锂光波导芯片包括铌酸锂衬底(1)、钛扩散波导区(2)、退火外扩散区(3)和金属电极(4)，铌酸锂衬底(1)采用x切y传晶片，钛扩散区域(2)和退火外扩散区(3)位于铌酸锂衬底(1)的表层，且退火外扩散区(3)位于钛扩散区域(2)的两侧，金属电极(4)位于退火外扩散区(3)的表面，且正负电极关于钛扩散区域(2)对称；第一保偏尾纤组件包括第一保偏光纤(5)和第一光纤固定块(7)，第一保偏光纤(5)粘接在第一光纤固定块(7)表面的第一V型槽(8)内，第二保偏尾纤组件包括第二保偏光纤(6)和第二光纤固定块(7’)，第二保偏光纤(6)粘接在第二光纤固定块(7’)表面的第二V型槽(8’)内；所述第一保偏光纤(5)的慢轴与第一V型槽(8)截面的对称轴夹角为45°；所述第二保偏光纤(6)的慢轴与第二V型槽(8’)截面的对称轴夹角为0°。
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