[发明专利]一种阵列基板制作方法、膜层刻蚀防损伤监控方法及设备有效
申请号: | 201310714433.9 | 申请日: | 2013-12-20 |
公开(公告)号: | CN103811291B | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
发明(设计)人: | 刘政;任章淳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板的制作方法、膜层刻蚀防损伤监控方法及设备,该监控方法包括在形成膜层图形之后监测并记录所述膜层的透光率基准值;在所述膜层图形上形成阻挡层,对阻挡层进行刻蚀过孔的过程中,实时监测所述膜层的透光率现有值,通过透光率现有值和透光率基准值之间的变化量来监控对所述膜层的刻蚀程度。本发明提供的阵列基板的制作方法、膜层刻蚀防损伤监控方法及设备,通过对比不同状态下膜层的透光率,可有效监控对膜层的刻蚀程度,最大程度确保膜层不被过度刻蚀,确保膜层的性能,进而提供产品的良品率。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 制作方法 刻蚀 损伤 监控 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种膜层刻蚀防损伤监控方法,其特征在于,包括:在形成低温多晶硅的膜层图形之后监测并记录所述低温多晶硅的膜层的透光率基准值,所述膜层为有源层;在所述膜层图形上形成阻挡层,对阻挡层进行刻蚀过孔的过程中,位于所述过孔正下方的光感探头实时监测所述膜层的透光率现有值,实时监测膜层的透光率现有值,所述刻蚀过孔的过程是采用膜层刻蚀防损伤监控设备进行的,所述膜层刻蚀防损伤监控设备包括腔室,所述腔室中设有光源和若干个光感探头,所述光源向基板上的所述膜层照射,所述光感探头用于感应所述膜层的透光率;所述腔室还包括用于提供射频电流以产生等离子体的射频电源,所述射频电源采用间断供给的方法,在断电时间段进行膜层的透光率的监测,当所述透光率现有值达到透光率基准值的100%~120%时,停止刻蚀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310714433.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电容结构及其制造过程
- 下一篇:一种液体喷洒回收装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造