[发明专利]一种阵列基板制作方法、膜层刻蚀防损伤监控方法及设备有效

专利信息
申请号: 201310714433.9 申请日: 2013-12-20
公开(公告)号: CN103811291B 公开(公告)日: 2018-01-23
发明(设计)人: 刘政;任章淳 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/3065
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 代理人: 赵天月
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板的制作方法、膜层刻蚀防损伤监控方法及设备,该监控方法包括在形成膜层图形之后监测并记录所述膜层的透光率基准值;在所述膜层图形上形成阻挡层,对阻挡层进行刻蚀过孔的过程中,实时监测所述膜层的透光率现有值,通过透光率现有值和透光率基准值之间的变化量来监控对所述膜层的刻蚀程度。本发明提供的阵列基板的制作方法、膜层刻蚀防损伤监控方法及设备,通过对比不同状态下膜层的透光率,可有效监控对膜层的刻蚀程度,最大程度确保膜层不被过度刻蚀,确保膜层的性能,进而提供产品的良品率。
搜索关键词: 一种 阵列 制作方法 刻蚀 损伤 监控 方法 设备
【主权项】:
一种膜层刻蚀防损伤监控方法,其特征在于,包括:在形成低温多晶硅的膜层图形之后监测并记录所述低温多晶硅的膜层的透光率基准值,所述膜层为有源层;在所述膜层图形上形成阻挡层,对阻挡层进行刻蚀过孔的过程中,位于所述过孔正下方的光感探头实时监测所述膜层的透光率现有值,实时监测膜层的透光率现有值,所述刻蚀过孔的过程是采用膜层刻蚀防损伤监控设备进行的,所述膜层刻蚀防损伤监控设备包括腔室,所述腔室中设有光源和若干个光感探头,所述光源向基板上的所述膜层照射,所述光感探头用于感应所述膜层的透光率;所述腔室还包括用于提供射频电流以产生等离子体的射频电源,所述射频电源采用间断供给的方法,在断电时间段进行膜层的透光率的监测,当所述透光率现有值达到透光率基准值的100%~120%时,停止刻蚀。
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