[发明专利]一种银纳米线的制备方法有效
| 申请号： | 201310714543.5 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN103639422A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 张洪涛 | 申请（专利权）人： | 湖北工业大学 |
| 主分类号： | B22F9/24 | 分类号： | B22F9/24;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430068 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超长透明银纳米线的制备方法，通过硅粉与HF/AgNO3水溶液在高压沸腾情况下的氧化还原反应：HF/AgNO3水溶液形成的强氧化体系对硅粉进行氧化，硅粉表面附近的Ag+被还原成Ag，并在硅粉表面进行沉积形成超长透明银纳米线。本发明制备步骤少、操作简单，环境友好，产率高，可用于规模化生产银纳米线，制备的银纳米线长度较长，可替代ITO作为可弯曲显示屏的电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种银纳米线的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：对硅粉进行清洗，然后硅粉放入盛有HF /AgNO3水溶液的反应釜中形成反应溶液，密封后加热至反应溶液沸腾，自然冷却24~48 h后结束反应；从反应溶液中过滤出硅粉，并将硅粉加入到去离子水中静置12~48 h，将其取出并浸入0.5~10wt%的AgNO3溶液中浸泡10~50 min，之后用去离子水反复清洗三次，于100~210℃氩气氛下干燥10~72 h即得到银纳米线。
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