[发明专利]一种碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 201310715159.7 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN103695683A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 杨琳;乔力 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05;C22C32/00;C22C21/00 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 030024 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及铝基复合材料领域，具体是一种碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备方法。将铝粉和碳化硅混合粉末在球磨机中湿混混合，碳化硅的质量百分比含量为10%～30%，混合过程采用真空保护，在500MPa的压制压力下在模具中冷压成型；在真空条件下，于570℃进行无压烧结；在空气锤上进行自由锻，最终锻造变形量为50%，随后在真空条件下于360℃进行2h的再结晶退火。本发明有效地提高了铝基复合材料的性能，并且本发明工艺简单，成本低廉，适于工业运用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 颗粒 增强 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备方法，其特征在于按照如下的步骤进行步骤一，将铝粉和碳化硅混合粉末在球磨机中湿混混合，碳化硅的质量百分比含量为10%～30%，混合过程采用真空保护，在500 MPa的压制压力下在模具中冷压成型；步骤二，在真空条件下，于570℃进行烧结；步骤三，在空气锤上进行自由锻，锻造温度选择在350℃～400℃之间，每道次变形小于20%，经过5‑10次翻动，最终锻造变形量为50%；步骤四，在真空炉中进行再结晶退火，退火温度360℃，保温2h后随炉冷却。
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