[发明专利]一种高介电常数的Bi0.92Ho0.08Fe1-XMnXO3 铁电薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201310717714.X | 申请日: | 2013-12-20 |
公开(公告)号: | CN103723770A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 谈国强;耶维 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | C01G49/00 | 分类号: | C01G49/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 710021 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 一种高介电常数的Bi0.92Ho0.08Fe1-xMnxO3铁电薄膜及其制备方法,x=0.01~0.05,该薄膜为扭曲的钙钛矿结构,菱形晶系,均匀性好,其剩余极化强度为88~116μC/cm2,介电常数为223.1~327.3。制备方法:将硝酸铋、硝酸铁、硝酸钬和乙酸锰溶于乙二醇甲醚和醋酸酐混合而成的混合液中,得前驱液;在基片上旋涂前驱液,匀胶后烘烤得干膜,再退火,得Bi0.92Ho0.08Fe1-xMnxO3薄膜,重复旋涂前驱液、烘烤、退火至达到所需的薄膜厚度,得该薄膜。本发明设备要求简单,掺杂量易控,能够大幅度提高BiFeO3薄膜的介电性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 介电常数 bi sub 0.92 ho 0.08 fe mn 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高介电常数的Bi0.92Ho0.08Fe1‑xMnxO3铁电薄膜,其特征在于:其化学式为Bi0.92Ho0.08Fe1‑xMnxO3,x=0.01~0.05;在1kHz频率下,其剩余极化强度为88~116μC/cm2,介电常数为223.1~327.3。
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