[发明专利]一种高介电常数的Bi0.92Ho0.08Fe1-XMnXO3 铁电薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310717714.X 申请日: 2013-12-20
公开(公告)号: CN103723770A 公开(公告)日: 2014-04-16
发明(设计)人: 谈国强;耶维 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C01G49/00 分类号: C01G49/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陆万寿
地址: 710021 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种高介电常数的Bi0.92Ho0.08Fe1-xMnxO3铁电薄膜及其制备方法,x=0.01~0.05,该薄膜为扭曲的钙钛矿结构,菱形晶系,均匀性好,其剩余极化强度为88~116μC/cm2,介电常数为223.1~327.3。制备方法:将硝酸铋、硝酸铁、硝酸钬和乙酸锰溶于乙二醇甲醚和醋酸酐混合而成的混合液中,得前驱液;在基片上旋涂前驱液,匀胶后烘烤得干膜,再退火,得Bi0.92Ho0.08Fe1-xMnxO3薄膜,重复旋涂前驱液、烘烤、退火至达到所需的薄膜厚度,得该薄膜。本发明设备要求简单,掺杂量易控,能够大幅度提高BiFeO3薄膜的介电性能。
搜索关键词: 一种 介电常数 bi sub 0.92 ho 0.08 fe mn 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
一种高介电常数的Bi0.92Ho0.08Fe1‑xMnxO3铁电薄膜,其特征在于:其化学式为Bi0.92Ho0.08Fe1‑xMnxO3,x=0.01~0.05;在1kHz频率下,其剩余极化强度为88~116μC/cm2,介电常数为223.1~327.3。
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