[发明专利]超低电容固体放电管在审
| 申请号： | 201310718043.9 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103633130A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 倪侠 | 申请（专利权）人： | 江苏东光微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 夏平 |
| 地址： | 214205 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 种超低电容固体放电管，它包括上下两个硼基区P，在上下两个硼基区P内分别布置四个磷扩散区N+，形成元胞式阴极。本发明的上下两个硼基区P的外侧均设有金属层；在上下两个硼基区P内的磷扩散区N+等距分布；磷扩散区N+的结深为25~30μm；在上下两个硼基区P的结深均为10~15μm。本发明在原低电容结构设计基础上，将阴极调整为元胞式分布，提高每个元胞阴极的热沉周长，从而在相同芯片面积的基础上增加通流能力。基于该设计，原芯片面积可进行缩减，进而减小PN结面积，降低结电容。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 固体 放电 | ||
【主权项】：
一种超低电容固体放电管，它包括上下两个硼基区P（1），其特征是在上下两个硼基区P（1）内分别布置四个磷扩散区N+（2），形成元胞式阴极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏东光微电子股份有限公司，未经江苏东光微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310718043.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
