[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效
| 申请号： | 201310718064.0 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN103681489A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 崔承镇;金熙哲;宋泳锡;刘圣烈 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置，其中所述阵列基板的制造方法包括三道掩膜工序，其中第一道掩膜工序用于形成所述阵列基板中薄膜晶体管的源极、漏极、有源层及像素电极，其中所述有源层和所述像素电极同层设置于基板上方，所述源极和漏极位于所述有源层上方。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制造方法，包括：第一道掩膜工序，所述第一道掩膜工序用于形成所述阵列基板中薄膜晶体管的源极、漏极、有源层及像素电极，其中所述有源层和所述像素电极同层设置于基板上方，所述源极和漏极位于所述有源层上方；第二道掩膜工序，在所述第二道掩膜工序中，形成覆盖所述薄膜晶体管的源极、漏极、有源层及所述像素电极的绝缘层，并在所述绝缘层上形成开口，所述开口位于所述漏极与所述像素电极交界处上方；第三道掩膜工序，在所述第三道掩膜工序中，形成位于所述源极和漏极之间的、所述绝缘层上方的栅极，并在所述开口中形成接触电极，用于使所述漏极与所述像素电极电连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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