[发明专利]一种高效除硼造渣剂，其制备方法及除硼造渣的方法有效
| 申请号： | 201310718123.4 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN104016351A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 谢兴源;杨凤炳;李伟生;龚炳生 | 申请（专利权）人： | 福建兴朝阳硅材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037;C01B33/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京元中知识产权代理有限责任公司 11223 | 代理人： | 王明霞 |
| 地址： | 364211 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多晶硅提纯技术领域，特别是涉及一种高效除硼造渣剂，其制备方法及除硼造渣的方法。所述的除硼造渣剂的组成为：纳米二氧化硅40～60wt%，碳酸钠40～60wt%；优选：纳米二氧化硅40～50wt%，碳酸钠50～60wt%；其中纳米二氧化硅的粒径为50～130nm；优选60～120nm。使用普通二氧化硅，渣系的B分配比为4，使用纳米二氧化硅，B分配比提高至7～10。纳米二氧化硅表面活性更大，除硼分配系数高，效果显著，可有效的减少造渣剂的用量，缩短造渣时间，大大降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效 造渣 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于多晶硅的除硼造渣剂，其特征在于，所述的除硼造渣剂的组成为：纳米二氧化硅40～60wt%，碳酸钠40～60wt%；优选：纳米二氧化硅40～50wt%，碳酸钠50～60wt%；其中纳米二氧化硅的粒径为50～130nm；优选60～120nm。
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