[发明专利]基于纳米MOS器件的低电压低功耗放大器在审
申请号: | 201310719175.3 | 申请日: | 2013-12-24 |
公开(公告)号: | CN103684282A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 方华军;凌童;赵晓;许军;王敬 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H03F1/42 | 分类号: | H03F1/42;H03F1/02 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张大威 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了属于模拟集成电路领域的一种基于纳米MOS器件的低电压低功耗放大器。随着集成电路工艺的发展,基于纳米MOS器件的模拟电路设计成为新的挑战和研究重点。本发明放大器包括四个PMOS管组成的全差分输入级,该输入级将输入电压信号转换成电流信号;两组电流镜组成的电流回收级;一组电流镜组成的低压轨到轨输出级,该输出级提供输出阻抗,输出级的电流源管采用差转单模式,放大器为单端输出。本发明的基于纳米MOS器件的低电压低功耗放大器在不增加直流电流和版图面积的情况下,实现了至少准确提高3倍带宽的能力,同时相应的提高了低频增益和大信号摆率。该放大器电路适用于纳米MOS器件电路的低压环境,可提供大带宽大输出摆幅。 | ||
搜索关键词: | 基于 纳米 mos 器件 压低 功耗 放大器 | ||
【主权项】:
一种基于纳米MOS器件的低电压低功耗放大器,其特征在于,包括:全差分输入级,所述全差分输入级由M1a,M1b,M2a,M2b四个PMOS管组成;电流回收级,所述电流回收级由两个电流镜组成:由NMOS管M3b和M3c组成第一电流镜,由NMOS管M4b和M4c组成第二电流镜;轨到轨输出级,所述轨到轨输出级由一个电流镜M7和M8组成,其中,所述基于纳米MOS器件的低电压低功耗放大器采用标准CMOS电流源偏置,输入级由PMOS管M9和偏置电压Vb偏置,输出级由电流镜M7和M8进行偏置,所述基于纳米MOS器件的低电压低功耗放大器的正向输入信号,通过PMOS管M2a转换成向上的小信号电流,同时,负向输入信号通过PMOS管M1b转换成向下的小信号电流,所述向下的小信号电流通过M4b和M4c组成的第二电流镜进行第一次放大,所述放大信号与PMOS管M2a形成的向上的小信号电流反向叠加,相加成的小信号电流通过由NMOS管M4a和M6组成的电流镜,并且由此电流镜进行第二次放大,放大后方向向上的小信号电流进入输出端,所述基于纳米MOS器件的低电压低功耗放大器的负向输入信号,通过PMOS管M1a转换成向下的小信号电流,同时,正向输入信号通过PMOS管M2b转换成向上的小信号电流,所述向上的小信号电流通过M3b和M3c组成的第一电流镜进行第一次放大,该放大信号与PMOS管M1a形成的向下的小信号电流反向叠加,相加成的小信号电流通过由NMOS管M3a和M5组成的电流镜,并且由此电流镜进行第二次放大,从NMOS管M5出来的向下的小信号电流,通过由PMOS管M7和M8组成的输出负载电流镜复制,在输出端与另一端方向向上的小信号电流叠加。输出端电流减小,电压升高,实现放大功能。
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