[发明专利]通过磁控溅射在锆表面镀锆铜镍三元非晶合金薄膜的方法

摘要

通过磁控溅射在锆表面镀锆铜镍三元非晶合金薄膜的方法，包括以下步骤：以锆-铜合金靶和镍靶作为溅射靶，将靶材置于磁控溅射腔室中，在镍靶下方垫置钛靶；将锆件表面精细抛光，清洗并晾干，置于腔室中；关闭腔室，抽真空至腔室真空度达到4×10^-4Pa；往腔室中通入氩气，使腔室真空度为0.3-0.35Pa，开启偏压电源，偏压清洗，将偏压电源调至90~110V，打开对应锆-铜合金靶的直流电源，功率调节为85W，同时打开镍靶的射频电源，将反射功率调至1W，射频功率为17-135W，沉积20-50分钟，锆-铜合金靶和镍靶的倾斜角均为45度，靶基距为90mm，溅射结束关闭电源，锆件表面形成锆铜镍三元非晶合金薄膜。

主权项

通过磁控溅射在锆表面镀锆铜镍三元非晶合金薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1）靶材选取：以锆‑铜合金靶和镍靶作为溅射靶，将靶材置于磁控溅射腔室中，在镍靶下方垫置钛靶，其中锆‑铜合金靶中锆和铜的原子比为Zr：Cu=65:35；2）基体衬底处理：将锆件表面精细抛光，置于超声清洗器中依次用乙醇、除油液清洗，后用去离子水清洗并晾干，将处理后的锆件置于腔室中，其中除油液为丙酮和乙醇的混合液，丙酮和乙醇的体积比为1：2；3）抽真空：关闭腔室，抽真空至腔室真空度达到4×10^‑4Pa；4）制备锆铜镍三元非晶合金薄膜：往腔室中通入氩气，调节氩气流量，使腔室真空度为0.3‑0.35Pa，开启偏压电源至‑400V，偏压清洗3‑4分钟，将偏压电源调至90~110V，打开对应锆‑铜合金靶的直流电源，功率调节为85W，同时打开镍靶的射频电源，将反射功率调至1W，射频功率为17‑135W，沉积20‑50分钟，锆‑铜合金靶和镍靶的倾斜角均为45度，靶基距为90mm，溅射结束关闭电源，锆件表面形成厚度为457~1090nm的锆铜镍三元非晶合金薄膜。