[发明专利]一种低表面浓度的扩散方法

摘要

本发明公开了一种低表面浓度的扩散方法，包括如下步骤：将硅片置于扩散炉中，并向扩散炉中通入含有磷源的小N₂，N₂和O₂，在800℃～820℃的温度下，对所述硅片进行磷扩散；关闭小N₂，保持800℃～820℃的温度，向扩散炉中通入N₂和O₂对所述硅片进行通氧短时推阱；向所述扩散炉中通入N₂，在850℃～870℃的温度下，对所述硅片进行高温氮推阱；向所述扩散炉中通入N₂，在740℃～780℃的温度下，对所述硅片进行低温氮推阱；在N₂保护下，对所述硅片进行出炉操作。采用本发明提供的扩散方法制作P‑N结，结深和表面浓度更容易调节和控制；硅片表面掺杂浓度低，表面复合速率小；后续制造而成的太阳能电池的光电转换效率高。

主权项

一种低表面浓度的扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：a)将硅片置于扩散炉中，并向扩散炉中通入含有磷源的小N₂，N₂和O₂，在800℃～820℃的温度下，对所述硅片进行磷扩散；所述步骤a)的执行时间为15min～20min；b)关闭小N₂，保持800℃～820℃的温度，向扩散炉中通入N₂和O₂对所述硅片进行通氧短时推阱；所述步骤b)的执行时间为3min～8min；c)向所述扩散炉中通入N₂，在850℃～870℃的温度下，对所述硅片进行高温氮推阱；所述步骤c)的执行时间为8min～10min；d)向所述扩散炉中通入N₂，在740℃～780℃的温度下，对所述硅片进行低温氮推阱；所述步骤d)的执行时间为30min～35min；e)在N₂保护下，对所述硅片进行出炉操作。