[发明专利]一种LED倒装芯片无效
申请号: | 201310719821.6 | 申请日: | 2013-12-24 |
公开(公告)号: | CN103762283A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 王冬雷;莫庆伟 | 申请(专利权)人: | 大连德豪光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/64 |
代理公司: | 广东秉德律师事务所 44291 | 代理人: | 杨焕军 |
地址: | 116100 辽宁省大*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明提供一种LED倒装芯片,包括蓝宝石衬底、该蓝宝石衬底上自下而上依次设有N型层、发光层、P型层、反射层、第一绝缘层;该第一绝缘层上设有N引线电极与P引线电极,该N引线电极沿深度自该P型层延伸至N型层的孔与该N型层导电连接,该P引线电极与该反射层导电连接;以及,与该N引线电极导电连接的N焊盘层,与该P引线电极导电连接的P焊盘层,所述N引线电极与该P引线电极上设有第二绝缘层,该第二绝缘层上设有通孔,所述N焊盘层与该P焊盘层透过该通孔分别与该N引线电极、该P引线电极相接触,所述第一绝缘层及第二绝缘层至少其中之一为不吸收可见光谱并具备一定弹性的材料,该材料杨氏模量为0.1至5GPa。 | ||
搜索关键词: | 一种 led 倒装 芯片 | ||
【主权项】:
一种LED倒装芯片,包括蓝宝石衬底、该蓝宝石衬底上自下而上依次设有N型层、发光层、P型层、反射层、第一绝缘层;该第一绝缘层上设有N引线电极与P引线电极,该N引线电极沿深度自该P型层延伸至N型层的孔与该N型层导电连接,该P引线电极与该反射层导电连接;以及,与该N引线电极导电连接的N焊盘层,与该P引线电极导电连接的P焊盘层,所述N引线电极与该P引线电极上设有第二绝缘层,该第二绝缘层上设有通孔,所述N焊盘层与该P焊盘层透过该通孔分别与该N引线电极、该P引线电极相接触,其特征在于:所述第一绝缘层及第二绝缘层至少其中之一为不吸收可见光谱并具备一定弹性的材料,该材料杨氏模量为0.1至5GPa。
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